温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7911DN-VB
2个P沟道,耐压：-20V，电流：6/4.2A
- 描述
- DFN8(3X3)；2个P—Channel沟道,-20V；6/4.2A；RDS(ON)=37mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.62~2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7911DN-VB
- 商品编号
- C41370418
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 新型低热阻功率封装
应用领域
- 便携式设备-电池开关-负载开关
相似推荐
其他推荐
- SI7913DN-VB
- SI7923DN-VB
- SI9400DY-T1-E3-VB
- SI9405DY-T1-E3-VB
- SiA907EDJT-T1-GE3-VB
- SiA911ADJ-T1-GE3-VB
- SiA913ADJ-T1-GE3-VB
- SiA915DJ-T1-GE3-VB
- SiA917DJ-T1-GE3-VB
- SiHF15N60E-GE3-VB
- SiHFBF20S-VB
- SiHFBF30S-VB
- SIHFR214TL-E3-VB
- SIHFR214-VB
- SIHFR220TR-VB
- SIHFR220-VB
- SIHFR224-VB
- SIHU3N50D-E3-VB
- SIHU7N60E-GE3-VB
- SIP10N20-VB
- SIS330DN-T1-GE3-VB