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SIP10N20-VB
1个N沟道,耐压：200V，电流：10A
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.9V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIP10N20-VB
- 商品编号
- C41370438
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 121W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定
- 提供卷带包装
- 快速开关
- 易于并联
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 提供DPAK (TO-252)封装
- N沟道MOSFET
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