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SIS407DN-VB
1个P沟道,耐压：-20V，电流：-52A
- 描述
- DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-20V；-52A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-1.2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIS407DN-VB
- 商品编号
- C41370444
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.595nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 813pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义,无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 负载开关
- 适配器/电池开关