温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIS430DN-VB
2个N沟道,耐压：30V，电流：40A
- 描述
- DFN8(3X3)；2个N—Channel沟道,30V；40A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIS430DN-VB
- 商品编号
- C41370448
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.545nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换
- 低端开关
- 笔记本电脑
- 游戏设备