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SIS454DN-VB
2个N沟道,耐压：30V，电流：40A
- 描述
- DFN8(3X3)；2个N—Channel沟道,30V；40A；RDS(ON)=3.9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIS454DN-VB
- 商品编号
- C41370450
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 406pF |
商品特性
- DFN封装为同步降压转换器优化高端和低端MOSFET
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 计算系统电源
- 负载点（POL）
- 同步降压转换器