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SIHFR224-VB
1个N沟道,耐压：250V，电流：4A
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,250V；4A；RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIHFR224-VB
- 商品编号
- C41370435
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 640mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF |
商品特性
- DT沟槽功率MOSFET
- 结温175°C
- 脉宽调制（PWM）优化
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关
- N沟道MOSFET
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