温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SiA917DJ-T1-GE3-VB
2个P沟道,耐压：-30V，电流：-4.1A
- 描述
- DFN6(2X2)；2个P—Channel沟道,-30V；-4.1A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=-0.7V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SiA917DJ-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C41370427
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 新型低热阻封装
应用领域
- 便携式设备-电池开关-负载开关