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SiHFBF20S-VB
1个N沟道,耐压：900V，电流：7A
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,900V；7A；RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SiHFBF20S-VB
- 商品编号
- C41370429
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 99W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 373pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义，无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 负载开关
- 适配器/电池开关