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SI7447ADP-T1-GE3-VB
1个P沟道,耐压：-30V，电流：-120A
- 描述
- DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.74V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7447ADP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C41370411
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.215nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.375nF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- 笔记本电脑核心
- 电压调节模块（VRM）/负载点（POL）
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