SI7491DP-T1-GE3-VB
1个P沟道,耐压:-30V,电流:-60A
- 描述
- DFN8(5X6);P—Channel沟道,-30V;-60A;RDS(ON)=7.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.5~-2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7491DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C41370414
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 820pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 880pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 负载开关
- 功率放大器(PA)开关
- DC/DC转换器
相似推荐
其他推荐
- SI7742DP-T1-GE3-VB
- SI7748DP-T1-GE3-VB
- SI7901EDN-VB
- SI7911DN-VB
- SI7913DN-VB
- SI7923DN-VB
- SI9400DY-T1-E3-VB
- SI9405DY-T1-E3-VB
- SiA907EDJT-T1-GE3-VB
- SiA911ADJ-T1-GE3-VB
- SiA913ADJ-T1-GE3-VB
- SiA915DJ-T1-GE3-VB
- SiA917DJ-T1-GE3-VB
- SiHF15N60E-GE3-VB
- SiHFBF20S-VB
- SiHFBF30S-VB
- SIHFR214TL-E3-VB
- SIHFR214-VB
- SIHFR220TR-VB
- SIHFR220-VB
- SIHFR224-VB
