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SI7491DP-T1-GE3-VB实物图
  • SI7491DP-T1-GE3-VB商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI7491DP-T1-GE3-VB

1个P沟道,耐压:-30V,电流:-60A

描述
DFN8(5X6);P—Channel沟道,-30V;-60A;RDS(ON)=7.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.5~-2.5V;
商品型号
SI7491DP-T1-GE3-VB
商品编号
C41370414
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)75W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)66nC@10V
输入电容(Ciss)4.62nF
反向传输电容(Crss)820pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)880pF

商品特性

  • 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
  • 沟槽功率MOSFET
  • 100%进行栅极电阻(Rg)测试
  • 符合RoHS指令2002/95/EC

应用领域

  • 负载开关
  • 功率放大器(PA)开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF