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SI7485DP-T1-GE3-VB
1个P沟道,耐压：-30V，电流：-60A
- 描述
- DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=7.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7485DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C41370413
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 820pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 880pF |
商品特性
- 扩展的栅源电压（VGS）范围（±25 V），适用于适配器开关应用
- 极低的导通电阻（RDS(on)）
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性负载（UIS）测试
- 符合RoHS标准
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