温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI2341DS-T1-GE3-VB
1个P沟道,耐压：-30V，电流：-5.6A
- 描述
- SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI2341DS-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C41370404
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V；54mΩ@4.5V；49mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V；11.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定 (UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业应用
相似推荐
其他推荐
- Si2372DS-T1-GE3-VB
- SI4102DY-T1-E3-VB
- SI4484DY-T1-E3-VB
- SI4496DY-T1-E3-VB
- SI7374DP-T1-GE3-VB
- SI7382DP-T1-GE3-VB
- SI7447ADP-T1-GE3-VB
- SI7470DP-T1-GE3-VB
- SI7485DP-T1-GE3-VB
- SI7491DP-T1-GE3-VB
- SI7742DP-T1-GE3-VB
- SI7748DP-T1-GE3-VB
- SI7901EDN-VB
- SI7911DN-VB
- SI7913DN-VB
- SI7923DN-VB
- SI9400DY-T1-E3-VB
- SI9405DY-T1-E3-VB
- SiA907EDJT-T1-GE3-VB
- SiA911ADJ-T1-GE3-VB
- SiA913ADJ-T1-GE3-VB