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SI4102DY-T1-E3-VB
1个N沟道,耐压：100V，电流：4.2A
- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,100V；4.2A；RDS(ON)=124mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4102DY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C41370406
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 128mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性负载开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
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