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RSC002P03T316-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
- 描述
- SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RSC002P03T316-VB
- 商品编号
- C41370396
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义，无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100% Rq测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
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