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DB006NG-B
1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
- 描述
- N管/20V/60A/6.5mΩ(典型4.8mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DB006NG-B
- 商品编号
- C41367272
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.831nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下可提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可应用于各种领域。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20 V,漏极电流(ID) = 60 A,当栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 6.5 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(ON))。
- 优秀的封装,具备良好的散热性能。