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DOS5521
1个N沟道+1个P沟道 耐压:100V 电流:2.2A
- 描述
- N+P管/100V/2.2A/120mΩ(典型值86mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOS5521
- 商品编号
- C41367289
- 商品封装
- SOP-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.189克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF；1.455nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF；58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道:VDS = 100 V,ID = 2.2 A,在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 120 mΩ
- P沟道:VDS = -100 V,ID = -1.8 A,在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 200 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能良好。