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DO3407BA
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
- 描述
- P管/-30V/-4.3A/55mΩ(典型37mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO3407BA
- 商品编号
- C41367402
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.51W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V，漏极电流（ID） = -4.3 A，在栅源电压（VGS） = -10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 55 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保器件。
- 先进的高单元密度沟槽技术，可实现超低漏源导通电阻（RDS(on)）。
- 出色的封装，散热性能良好。