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DO3404BA
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- N管/30V/5.8A/24mΩ(典型16mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO3404BA
- 商品编号
- C41367398
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 477pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道：VDS = 30 V，ID = 6.3 A，在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 24 mΩ
- P沟道：VDS = -30 V，ID = -6 A，在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 45 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装散热性能良好。