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DO3N10SA

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属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)286mΩ@10V,2A
功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)5.2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)320pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)14pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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