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DO3N10SA
1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- N管/100V/3A/286mΩ(典型220mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO3N10SA
- 商品编号
- C41367400
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 286mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100 V,漏极电流(ID) = 3 A,当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 286 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能出色。
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 开关电源待机电源