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DC005NG-B
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
- 描述
- N管/30V/80A/5mΩ(典型4.2mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DC005NG-B
- 商品编号
- C41367273
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.614nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
BST82,215是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品BST82,215为无铅产品。
商品特性
- 100V，VGS = 10 V时，RDS(ON) = 2.70 Ω（典型值）
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 2.95 Ω（典型值）
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 具有雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换