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DOS4612E
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5A
- 描述
- N+P管/60V/5A/36mΩ(典型值30mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOS4612E
- 商品编号
- C41367288
- 商品封装
- SOP-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.183667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.027nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道:VDS = 60 V,ID = 5 A,RDS(ON) < 36 m Ω \quad @ VGS = 10 V
- P沟道:VDS = -60 V,ID = -4 A,RDS(ON) < 90 m Ω @ VGS = -10 V
- 高功率和电流处理能力。
- 产品无铅。
- 表面贴装封装。