温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DOS9926
2个N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
- 描述
- N+N管/20V/6.5A/24mΩ(典型值19mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOS9926
- 商品编号
- C41367285
- 商品封装
- SOP-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.192667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 50 A，当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 15 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能优异