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DC015P2G
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
- 描述
- P管/-30V/-40A/14.5mΩ(典型11mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DC015P2G
- 商品编号
- C41367278
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4432克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.229nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 144pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷条件下实现出色的RDS(ON),适用于各种应用场景。
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -40 A,VGS = -10 V 时, RDS(ON) < 14.5 m Ω
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)
- 出色的封装设计,具备良好的散热性能