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DH090NG-S
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
- 描述
- N管/100V/15A/100mΩ(典型75mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DH090NG-S
- 商品编号
- C41367277
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4404克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.083nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可应用于各种领域。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20 V，漏极电流（ID） = 60 A，当栅源电压（VGS） = 4.5 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 6.5 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。
- 优秀的封装，具备良好的散热性能。