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DH200PG
1个P沟道 耐压:100V 电流:12A
- 描述
- P管/-100V/-12A/200mΩ(典型170mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DH200PG
- 商品编号
- C41367282
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4436克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
MS50N06-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品MS50N06-ES为无铅产品。
商品特性
- 60V，VGS = 10 V时，RDS(ON) = 12 mΩ（典型值）
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 16 mΩ（典型值）
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换