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DH200PG
1个P沟道 耐压:100V 电流:12A
- 描述
- P管/-100V/-12A/200mΩ(典型170mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DH200PG
- 商品编号
- C41367282
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4436克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -100 V,漏极电流(ID) = -12 A,当栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 200 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能良好。
应用领域
- PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换