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ISL6594ACB

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL6594ACB
商品编号: C3655420
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.199克(g)

商品参数

商品概述

ISL6594A和ISL6594B是高频MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动上、下功率N沟道MOSFET而设计。这些驱动器与ISL6592数字多相降压PWM控制器和N沟道MOSFET相结合，可为先进的微处理器形成完整的核心电压调节器解决方案。 ISL6594A将上栅极驱动至12V，而下栅极可在5V至12V范围内独立驱动。ISL6594B则可将上、下栅极在5V至12V范围内驱动。这种驱动电压为优化涉及栅极电荷和传导损耗之间权衡的应用提供了必要的灵活性。集成了自适应零直通保护功能，可防止上、下MOSFET同时导通，并将死区时间降至最短。这些产品增加了过压保护功能，该功能在VCC超过其开启阈值之前就开始工作，此时PHASE节点连接到低端MOSFET的栅极（LGATE）。转换器的输出电压随后受低端MOSFET阈值的限制，若在上电启动初期上MOSFET短路，这可为微处理器提供一定保护。这些驱动器还具有三态PWM输入，它与Intersil的多相PWM控制器协同工作，可防止在输出关闭时输出电压出现负瞬变。此功能省去了某些系统中用于保护负载免受输出电压反向影响的肖特基二极管。

商品特性

用于同步整流桥的双MOSFET驱动器
可调栅极电压（5V至12V），实现最佳效率
36V内部自举肖特基二极管
防止自举电容过充
支持高开关频率（高达2MHz）
3A灌电流能力
快速上升/下降时间和低传播延迟
用于输出级关断的三态PWM输入
满足电源排序要求应用的三态PWM输入迟滞
上电复位前过压保护
VCC欠压保护
可扩展底部铜焊盘，增强散热能力
双扁平无引脚（DFN）封装 - 接近芯片级封装尺寸；提高PCB效率并降低外形厚度
提供无铅产品（符合RoHS标准）

应用领域

英特尔和AMD微处理器的核心稳压器
大电流DC/DC转换器
高频高效VRM和VRD

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优惠活动

购买数量

(98个/管，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个98个/管

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	1.25A
	工作电压	5V~12V
	上升时间(tr)	26ns
	下降时间(tf)	18ns
	工作温度	0℃~+85℃