ISL6597CRZ-T
ISL6597CRZ-T
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- ISL6597CRZ-T
- 商品编号
- C3655373
- 商品封装
- QFN-16(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 4 | |
| 灌电流(IOL) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | 8ns | |
| 下降时间(tf) | 8ns | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
ISL6597集成了两个ISL6596驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑中的两个独立电源通道驱动进行了优化。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相PWM控制器相结合，形成了一个完整的高效电压调节器解决方案。 该IC由单个低压电源（5V）偏置，可将高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗降至最低。每个驱动器能够驱动3nF负载，上升/下降时间小于10ns。上栅极驱动器的自举通过内部低正向压降二极管实现，降低了实施成本和复杂度，并允许使用高性能、高性价比的N沟道MOSFET。集成了自适应直通保护功能，可防止两个MOSFET同时导通。 ISL6597的下栅极驱动器典型灌电流为4A，可增强PHASE节点上升沿期间下MOSFET的栅极保持能力，防止因开关节点的高dV/dt导致下MOSFET自导通而造成的功率损耗。 ISL6597还具有一个可识别高阻抗状态的输入，与英特矽尔多相3.3V或5V PWM控制器协同工作，可在操作暂停时防止受控输出电压出现负瞬变。此功能无需在电源系统中使用肖特基二极管来保护负载免受负输出电压的损坏。
商品特性
- 用于两个同步整流桥的5V四路N沟道MOSFET驱动器
- 自适应直通保护
- 可编程死区时间，用于效率优化
- 导通电阻0.4Ω，灌电流能力4A
- 支持高开关频率 - 快速输出上升和下降 - 超低三态关断时间（20ns）
- 低正向压降内部自举二极管
- 低偏置电源电流
- 支持3.3V和5V PWM输入
- 使能输入和上电复位
- QFN封装 - 符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚）产品外形 - 接近芯片级封装尺寸；提高PCB利用率，外形更薄
- 提供无铅加退火工艺产品（符合RoHS标准）
应用领域
- 英特尔（Intel）和AMD微处理器的核心电压电源
- 高频、薄型、高效DC/DC转换器
- 大电流、低电压DC/DC转换器
- 隔离式电源的同步整流