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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRS21851SPBF

IRS21851SPBF

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商品型号
IRS21851SPBF
商品编号
C3655358
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.169克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置高边
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数1
灌电流(IOL)4A
属性参数值
拉电流(IOH)4A
工作电压10V~20V
上升时间(tr)15ns
下降时间(tf)15ns
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

IRS21851是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT单高端驱动器,其输出通道的传播延迟相匹配。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。浮动逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3 V逻辑,并且可以在高于地电位600 V的条件下工作。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于在高端配置中驱动N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压最高可达600 V。

商品特性

  • 栅极驱动电源范围为10 V至20 V
  • VBS和VCC欠压锁定
  • 兼容3.3 V和5 V输入逻辑
  • 耐受负瞬态电压
  • 所有通道的传播延迟相匹配
  • 符合RoHS标准

数据手册PDF