SIC533CD-T1-GE3

35 A VRPower集成功率级

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描述: 是一种为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。采用4.5mm×3.5mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达35A的连续电流。内部功率MOSFET采用先进的第四代TrenchFET技术，可显著降低开关和传导损耗。集成了先进的MOSFET栅极驱动器IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5V PWM逻辑。包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#），以提高轻载性能。该器件还支持PS4模式，以在系统处于待机状态时降低功耗。
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIC533CD-T1-GE3
商品编号: C3655156
商品封装: MLP4535-22L(3.5x4.5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0828克(g)

商品参数

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	20ns
	传播延迟 tpHL	20ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	3.6V~4.2V
	输入低电平(VIL)	720mV~1.3V
	静态电流(Iq)	-
	功能特性	内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制

商品概述

SiC533是一款为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。采用Vishay专有的4.5mm×3.5mm MLP封装，SiC533使电压调节器设计能够每相提供高达35A的连续电流。内部功率MOSFET采用了Vishay先进的第四代TrenchFET技术，该技术具有行业标杆性能，可显著降低开关和传导损耗。SiC533集成了一个先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还与广泛的PWM控制器兼容，支持三态PWM和5V PWM逻辑。包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#）以改善轻载性能。该器件还支持PS4模式，以在系统处于待机状态时降低功耗。

商品特性

热增强型PowerPAK MLP4535 - 22L封装
Vishay的第四代MOSFET技术和集成肖特基二极管的低侧MOSFET
可提供高达35A的连续电流，10ms峰值电流可达45A
高效率性能
高达2MHz的高频操作
上电复位
具有三态和延迟的5V PWM逻辑
支持IMVP8的PS4模式轻载要求，关机电源电流低（5V，3μA）
V_CIN欠压锁定

应用领域

用于计算、显卡和内存的多相VRD
英特尔IMVP - 8 VR电源输送
Skylake、Kabylake平台的V_CORE、V_GRAPHICS、V_SYSTEM AGENT
Apollo Lake平台的V_CCGI
高达24V轨输入DC/DC VR模块

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	-
	灌电流(IOL)	-
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	4.5V~24V
	上升时间(tr)	-
	下降时间(tf)	-