IR25606SPBF
IR25606SPBF
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IR25606SPBF
- 商品编号
- C3655163
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT;MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 350mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 200mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 150ns | |
| 下降时间(tf) | 50ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
IR25606是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压最高可达600V。
商品特性
- 为自举操作设计的浮动通道
- 最高可在+600V下完全正常工作
- 耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为10至20V
- 双通道均具备欠压锁定功能
- 与3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
- 具备交叉导通预防逻辑
- 双通道的传播延迟匹配
- 输出与输入同相
- 逻辑地和功率地偏移范围为±5V
- 内部死区时间为540ns
- 较低的di/dt栅极驱动器,具备更好的抗噪性能
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
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