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IR25606SPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IR25606SPBF

IR25606SPBF

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商品型号
IR25606SPBF
商品编号
C3655163
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.169克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)350mA
属性参数值
拉电流(IOH)200mA
工作电压10V~20V
上升时间(tr)150ns
下降时间(tf)50ns
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)

商品概述

IR25606是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压最高可达600V。

商品特性

  • 为自举操作设计的浮动通道
  • 最高可在+600V下完全正常工作
  • 耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
  • 栅极驱动电源范围为10至20V
  • 双通道均具备欠压锁定功能
  • 与3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
  • 具备交叉导通预防逻辑
  • 双通道的传播延迟匹配
  • 输出与输入同相
  • 逻辑地和功率地偏移范围为±5V
  • 内部死区时间为540ns
  • 较低的di/dt栅极驱动器,具备更好的抗噪性能

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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