ISL6594BCB
ISL6594BCB
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- ISL6594BCB
- 商品编号
- C3655058
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.199克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 1.25A | |
| 工作电压 | 5V~12V | |
| 上升时间(tr) | 26ns | |
| 下降时间(tf) | 18ns | |
| 工作温度 | 0℃~+85℃ |
商品概述
ISL6594A和ISL6594B是高频MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动上、下功率N沟道MOSFET而设计。这些驱动器与ISL6592数字多相降压PWM控制器和N沟道MOSFET相结合，可为先进的微处理器形成完整的核心电压调节器解决方案。 ISL6594A将上栅极驱动至12V，而下栅极可在5V至12V范围内独立驱动。ISL6594B则可将上、下栅极在5V至12V范围内驱动。这种驱动电压为优化涉及栅极电荷和传导损耗之间权衡的应用提供了必要的灵活性。 集成了自适应零直通保护功能，可防止上、下MOSFET同时导通，并将死区时间降至最短。这些产品增加了过压保护功能，该功能在VCC超过其开启阈值之前就开始工作，此时PHASE节点连接到低端MOSFET的栅极（LGATE）。转换器的输出电压随后受低端MOSFET阈值的限制，若在上电启动初期上MOSFET短路，这可为微处理器提供一定保护。 这些驱动器还具有三态PWM输入，它与Intersil的多相PWM控制器协同工作，可防止在输出关闭时输出电压出现负瞬变。此功能省去了某些系统中用于保护负载免受输出电压反向影响的肖特基二极管。
商品特性
~~- 本征快速恢复体二极管-极低的反向恢复电荷-超低的栅极电荷-极高的dv/dt额定值-高峰值电流能力-符合JEDEC工业级应用标准
应用领域
- 软开关PWM级-LCD和CRT电视