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ISL6612CRZR5238

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL6612CRZR5238
商品编号: C3654905
商品封装: DFN-10(3x3)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

ISL6612 和 ISL6613 是高频 MOSFET 驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动上、下功率 N 沟道 MOSFET 而设计。这些驱动器与 HIP63xx 或 ISL65xx 多相降压 PWM 控制器以及 N 沟道 MOSFET 相结合，可为先进微处理器形成完整的核心电压调节器解决方案。 ISL6612 将上栅极驱动至 12V，而下栅极可在 5V 至 12V 的范围内独立驱动。ISL6613 可将上、下栅极在 5V 至 12V 的范围内驱动。这种驱动电压提供了必要的灵活性，可优化涉及栅极电荷和传导损耗之间权衡的应用。集成了先进的自适应零直通保护功能，以防止上、下 MOSFET 同时导通，并将死区时间降至最短。这些产品增加了过压保护功能，该功能在 VCC 超过其开启阈值之前即可运行，此时 PHASE 节点连接到低端 MOSFET 的栅极（LGATE）。然后，转换器的输出电压受低端 MOSFET 的阈值限制，如果在上电启动期间上 MOSFET 短路，这可为微处理器提供一定的保护。过温保护功能可在结温超过 +150℃（典型值）时关闭输出，防止因功耗过大而导致故障。一旦结温降至 +108℃（典型值），驱动器将复位。这些驱动器还具有三态 PWM 输入，与英特矽尔（Intersil）的多相 PWM 控制器协同工作，可防止在输出关闭时输出电压出现负瞬变。此功能无需在某些系统中使用肖特基二极管来保护负载免受输出电压反向事件的影响。

商品特性

与 HIP6601 SOIC 系列引脚兼容，以实现更好的性能和额外的保护功能
用于同步整流桥的双 MOSFET 驱动器
先进的自适应零直通保护 - 体二极管检测 - rDS(ON) 传导偏移效应自动归零
可调栅极电压（5V 至 12V），以实现最佳效率
36V 内部自举肖特基二极管
防止自举电容过充
支持高开关频率（高达 2MHz） - 3A 灌电流能力 - 快速上升/下降时间和低传播延迟
用于输出级关断的三态 PWM 输入
适用于有电源排序要求应用的三态 PWM 输入迟滞
上电复位（POR）前过压保护
VCC 欠压保护
具有 +42℃ 迟滞的过温保护（OTP）
可扩展底部铜焊盘，以增强散热
双扁平无引脚（DFN）封装 - 接近芯片级封装尺寸；提高 PCB 效率并降低外形高度
提供无铅产品（符合 RoHS 标准）

应用领域

英特尔和 AMD 微处理器的核心调节器
大电流 DC/DC 转换器
高频高效电压调节模块（VRM）和电压调节装置（VRD）

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优惠活动

购买数量

(100个/管，最小起订量 1 个)

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	1.25A
	工作电压	5V~12V
	上升时间(tr)	26ns
	下降时间(tf)	18ns
	工作温度	-40℃~+85℃