商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 灌电流(IOL) | 580mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 5V~12V | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 工作温度 | 0℃~+85℃ |
商品概述
HIP6602是一款高频双功率通道MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动四个功率N沟道MOSFET而设计。这些驱动器与HIP63xx系列多相降压PWM控制器以及英特矽尔（Intersil）的UltraFET相结合，可为先进的微处理器提供完整的核心电压调节器解决方案。 HIP6602可在5V至12V的范围内驱动上、下栅极。这种驱动电压的灵活性有利于在开关损耗和传导损耗之间进行权衡，从而优化应用。 HIP6602中的输出驱动器能够在高频下高效地切换功率MOSFET。每个驱动器能够驱动3000pF的负载，传播延迟为30ns，转换时间为50ns。该器件在上栅极采用自举电路，每个功率通道仅需一个外部电容。这降低了实现的复杂度，并允许使用高性能、高性价比的N沟道MOSFET。集成了自适应直通保护功能，可防止两个MOSFET同时导通。 HIP6602双通道双MOSFET驱动器设计灵活、速度快，可根据两个外部提供的PWM信号控制高端和低端N沟道FET。 在上电初始化之前，上、下栅极保持低电平。一旦VCC电压超过VCC上升阈值（见电气规格），PWM信号就会控制栅极转换。PWM信号的上升沿会触发低端MOSFET关断（见时序图）。经过短暂的传播延迟[TPDLLGATE]后，低端栅极开始下降。典型下降时间[TFLGATE]在电气规格部分给出。自适应直通电路会监测LGATE电压，并确定上栅极的延迟时间。
商品特性
- 驱动四个N沟道MOSFET
- 自适应直通保护
- 内部自举器件
- 支持高开关频率 - 快速输出上升时间 - 传播延迟30ns
- 小型14引脚SOIC封装
- 5V至12V栅极驱动电压，实现最佳效率
- 用于桥接关断的三态输入
- 电源欠压保护
应用领域
- 英特尔奔腾III和AMD速龙微处理器的核心电压电源
- 高频薄型DC/DC转换器
- 大电流低压DC/DC转换器
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