LM27222M-TI
LM27222M-TI
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM27222M-TI
- 商品编号
- C3654851
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 3A | |
| 工作电压 | 4V~6.85V | |
| 上升时间(tr) | 17ns | |
| 下降时间(tf) | 12ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
LM27222是一款双N沟道MOSFET驱动器,旨在驱动推挽配置中的MOSFET,这种配置通常用于同步降压稳压器。LM27222接收控制器的PWM输出,并为功率级MOSFET提供合适的时序和驱动电平。自适应直通保护可防止产生会损坏器件并降低效率的直通电流,从而确保设计稳健,几乎可与任何MOSFET配合使用。自适应直通保护电路还可将死区时间降至低至10ns,确保实现最高的工作效率。当Vgs为5V时,LM27222每个驱动器的峰值源电流和灌电流分别约为3A和4.5A。将传播延迟降至8ns也可提升系统性能。通过LEN引脚支持同步、非同步和二极管仿真模式,可在所有负载电流下再次提高效率。MOSFET输出端实现的最小输出脉冲宽度低至30ns。这使得降压稳压器设计能够在非常高的转换比下实现高工作频率。为支持笔记本系统的低功耗状态,当IN和LEN输入为低电平或浮空时,LM27222从5V电源轨仅汲取5μA电流。
商品特性
- 自适应直通保护
- 10ns死区时间
- 8ns传播延迟
- 30ns最小导通时间
- 0.4Ω下拉和0.9Ω上拉驱动器
- 4.5A峰值驱动电流
- MOSFET兼容设计
- 5μA静态电流
- 降压配置下30V最大输入电压
- 4V至6.85V工作电压
- SO-8和LLP封装
应用领域
- 大电流降压和升压电压转换器
- 快速瞬态DC/DC电源
- 单端正激输出整流
- CPU和GPU核心电压稳压器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
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