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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IGI60F1414A1LAUMA1

IGI60F1414A1LAUMA1

商品型号
IGI60F1414A1LAUMA1
商品编号
C3654860
商品封装
TIQFN-28​
包装方式
编带
商品毛重
0.28克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)2A
拉电流(IOH)1A
工作电压5.5V~12V
属性参数值
上升时间(tr)6ns
下降时间(tf)5ns
传播延迟 tpLH47ns
传播延迟 tpHL47ns
特性欠压保护
工作温度-40℃~+125℃
静态电流(Iq)1.4mA

商品概述

IGI60F1414A1L 在一个 8×8 mm 的 QFN - 28 小型封装中集成了一个半桥功率级,该功率级由两个 140 mΩ(典型导通电阻 Rdson)/ 600 V 的增强型 CoolGaNTM HEMT 与专用栅极驱动器组成。因此,在中低功率领域,利用 CoolGaNTM HEMT 卓越的开关性能,它非常适合用于支持高密度 AC/DC 充电器和适配器的设计。CoolGaNTM 及相关功率开关提供了非常坚固的栅极结构。当在“导通”状态下由几毫安的连续栅极电流驱动时,始终能保证最小导通电阻 Rdson。 由于氮化镓特有的低阈值电压和快速开关瞬态特性,在某些应用中需要负栅极驱动电压,以实现快速关断并避免直通效应。这可以通过驱动器和开关之间著名的 RC 接口来实现。几个外部贴片电阻和电容可轻松适配不同的功率拓扑结构。 该驱动器采用片上无芯变压器技术(CT),实现信号电平转换至高端。此外,CT 即使在超过 300 V/ns 的极快速开关瞬态情况下也能保证稳定性。

商品特性

  • 半桥配置中的两个 140 mΩ 氮化镓开关,配备专用的高端和低端隔离栅极驱动器
  • 源极/灌电流驱动能力高达 1 / 2 A
  • 可根据应用配置导通和关断速度
  • 快速的输入到输出传播时间(典型值 47 ns),通道间失配极小
  • PWM 输入信号(开关频率高达 3 MHz)
  • 标准逻辑输入电平,与数字控制器兼容
  • 宽电源范围
  • 可采用单栅极驱动器电源电压(典型值 8 V),欠压锁定(UVLO)恢复迅速
  • 低端开漏源极,可通过外部分流电阻进行电流检测
  • 基于坚固的无芯变压器技术实现输入到输出的电气隔离
  • 栅极驱动器具有极高的共模瞬态抗扰度(CMTI)> 300 V/ns
  • 热增强型 8×8 mm QFN - 28 封装
  • 产品完全符合 JEDEC 工业应用标准

应用领域

  • 充电器和适配器
  • 服务器、电信及网络开关电源
  • 低功率电机驱动
  • LED 照明

数据手册PDF

交货周期

订货9-11个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

0.00

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