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NCE55P05S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE55P05S

1个P沟道 耐压:55V 电流:5A

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描述
NCE55P05S采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE55P05S
商品编号
C414142
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.205克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@10V
耗散功率(Pd)25W
阈值电压(Vgs(th))3.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC@10V
输入电容(Ciss)1.45nF
反向传输电容(Crss)110pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)145pF

商品特性

  • VDS = -55V, ID = -5A
  • RDS(ON) < 80 m Ω @ VGS = -10 V
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 出色的封装,散热性能良好

应用领域

-功率开关应用-硬开关和高频电路-直流-直流转换器

数据手册PDF