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NCE55P05S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE55P05S

1个P沟道 耐压:55V 电流:5A

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描述
NCE55P05S采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE55P05S
商品编号
C414142
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.205克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@10V
耗散功率(Pd)25W
阈值电压(Vgs(th))3.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC@10V
输入电容(Ciss)1.45nF
反向传输电容(Crss)110pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)145pF

商品特性

  • 增强型
  • 低导通电阻,栅源电压(VGS)= 4.5 V 时的漏源导通电阻(RDS(on))
  • 快速开关且效率高
  • 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准;无卤

数据手册PDF