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NCE2303
1个P沟道 耐压:30V 电流:2A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。适用于负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE2303
- 商品编号
- C414149
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 226pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 47pF |
商品概述
UTC UTT24N06是一款N沟道增强型MOSFET，采用UTC先进技术，为客户提供极低的导通电阻和低栅极电荷等特性。 UTC UTT24N06适用于工业开关应用和LED电视等的转换器应用。
商品特性
- VDS = -30 V, ID = -2.0 A
- RDS(ON) < 130 m Ω @ VGS = -10 V
- RDS(ON) < 180 m Ω @ VGS = -4.5 V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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