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NCE6020AI
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- NCE6020AI采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE6020AI
- 商品编号
- C414200
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.584克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(75个/管，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个75个/管
总价金额：
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