温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SVF4N60CAMJ

1个N沟道耐压:600V 电流:4A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: N沟道 600V 4A
品牌名称: SILAN(士兰微)
商品型号: SVF4N60CAMJ
商品编号: C414164
商品封装: TO-251
包装方式: 管装
商品毛重: 0.717克(g)

商品参数

商品概述

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用Silicon专有的F-Cell高压平面VDMOS技术制造。改进的工艺和单元结构经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。

商品特性

4A,600V,RDS(导通)(典型值) = 2.0 Ω @ VGS = 10 V
低栅极电荷
低Crss
快速开关
改进的dv/dt能力

应用领域

AC-DC电源
DC-DC转换器
H桥PWM电机驱动器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	4A
	导通电阻(RDS(on))	2.4Ω@10V
	耗散功率(Pd)	86W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	26nC@10V
	输入电容(Ciss)	433pF
	反向传输电容(Crss)	4.5pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	55pF