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NCEP01T11
1个N沟道 耐压:100V 电流:108A
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- 描述
- 采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP01T11
- 商品编号
- C414145
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 108A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 790pF |
商品概述
NCE6020AI采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 100V, ID = 108A
- RDS(ON) < 6.5 m Ω @ VGS = 10 V
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度达175 °C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
-直流-直流转换器-非常适合高频开关和同步整流