我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
NCEP0160F实物图
  • NCEP0160F商品缩略图
  • NCEP0160F商品缩略图
  • NCEP0160F商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP0160F

1个N沟道 耐压:100V 电流:60A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
商品型号
NCEP0160F
商品编号
C414148
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.46克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))10.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)40W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)37nC@10V
输入电容(Ciss)2.5nF@50V
反向传输电容(Crss)27pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

NCE2303采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = -30 V,漏极电流(ID) = -2.0 A
  • 栅源电压(VGS) = -10 V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 130 mΩ
  • 栅源电压(VGS) = -4.5 V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 180 mΩ
  • 高功率和电流处理能力
  • 符合无铅产品要求
  • 表面贴装封装

应用领域

  • PWM应用
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF