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NCE55H12
1个N沟道 耐压:55V 电流:120A
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE55H12
- 商品编号
- C414144
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.747克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 460pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SVF6N70F是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微专有的F-Cell™结构VDMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端，专门设计用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。
商品特性
- VDS = 55V, ID = 120A
- RDS(ON)< 5.5 m Ω@ VGS=10 V (典型值:4.1 m Ω )
- 高密度单元设计,实现超低 RDS(on)
- 雪崩电压和电流特性完整
- 高 EAS 下稳定性和一致性良好
- 散热性能出色的封装
- 具备高静电放电(ESD)能力的特殊工艺技术
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源