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NCE40P07S
1个P沟道 耐压:40V 电流:6.2A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE40P07S
- 商品编号
- C414143
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
NCE1540K采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 150V，漏极电流（ID） = 40A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 45 mΩ（典型值：35 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源