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FDC658AP
P沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。此产品非常适用于电池管理应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC658AP
- 商品编号
- C412512
- 商品封装
- SOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 1.6W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V,4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |