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DMHC4035LSD-13
2个N沟道+2个P沟道 耐压:40V 电流:4.5A
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- 描述
- 这新一代互补MOSFET H桥具有在低栅极驱动下实现低导通电阻的特点。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMHC4035LSD-13
- 商品编号
- C412517
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.252克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道+2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 574pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这款新一代互补MOSFET H桥的特点是在低栅极驱动下可实现低导通电阻。
商品特性
- SOIC封装,2个N沟道 + 2个P沟道
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
- 直流电机控制
- 直流-交流逆变器
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