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2V7002KT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2V7002KT1G

1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA

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描述
特性:ESD 保护。 低 RDS(on)。 表面贴装封装。 2V 前缀适用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用;符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,且符合 RoHS 标准。应用:低端负载开关。 电平转换电路
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
2V7002KT1G
商品编号
C415857
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)380mA
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@4.5V
耗散功率(Pd)420mW
阈值电压(Vgs(th))2.3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)700pC@4.5V
输入电容(Ciss)45pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)8pF

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