NVJD4152PT1G
2个P沟道 耐压:20V 电流:880mA
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描述
适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。20V,260 mΩ,双 P 沟道 MOSFET,带 ESD 防护,采用 SC-88 封装。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
NVJD4152PT1G商品编号
C417285商品封装
SC-88包装方式
编带
商品毛重
0.029克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 880mA | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 215mΩ@4.5V,0.88A | |
功率(Pd) | 272mW |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 450mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.2nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 155pF | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 18pF@20V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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