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NVJD4152PT1G
2个P沟道 耐压:20V 电流:0.88A
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- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。20V，260 mΩ，双 P 沟道 MOSFET，带 ESD 防护，采用 SC-88 封装。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVJD4152PT1G
- 商品编号
- C417285
- 商品封装
- SC-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 880mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 272mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 155pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 采用领先的沟槽技术，实现低RDS(ON)性能
- 小尺寸封装（等效于SC70 - 6）
- 栅极具备ESD保护
- NV前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些是无铅器件
应用领域
- 负载/电源管理
- 充电电路
- 负载开关
- 手机、计算机、数码相机、MP3播放器和个人数字助理（PDA）