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NVR5124PLT1G
1个P沟道 耐压:60V 电流:1.1A
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- 描述
- 汽车用功率 MOSFET。60V，230 mΩ，单 N 沟道 逻辑电平，SOT?23 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVR5124PLT1G
- 商品编号
- C417287
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 365mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 470mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 27.6pF |
商品特性
- 沟槽技术
- NVR 前缀适用于汽车及其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件为无铅产品，符合 RoHS 标准
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