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NTMS5P02R2G
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.95A
- 描述
- 这是一款 20 V P 沟道功率 MOSFET。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMS5P02R2G
- 商品编号
- C417289
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 380pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
NCE55P05S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 具有超低 RDS(on) 的高密度功率 MOSFET,效率更高
- 微型 SOIC - 8 表面贴装封装,节省电路板空间
- 二极管具有高速软恢复特性
- 规定了高温下的 IDSS
- 规定了漏源雪崩能量
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
- NVMS 前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
应用领域
- 便携式和电池供电产品的电源管理,如计算机、打印机、PCMCIA 卡、移动电话和无绳电话
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