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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTLJS2103PTBG

1个P沟道 耐压:12V 电流:3.5A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTLJS2103PTBG
商品编号
C415865
商品封装
WDFN-6(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.035克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)7.7A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3.3W
阈值电压(Vgs(th))800mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.157nF
反向传输电容(Crss)200pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)300pF

商品特性

  • 推荐替代器件 - NTLUS3A40P
  • WDFN 封装提供外露漏极焊盘,实现出色的热传导
  • 2 x 2 mm 封装尺寸与 SC - 88 封装相同
  • 2 x 2 mm 封装中具有最低的 RDS(on) 解决方案
  • 1.2 V RDS(on) 额定值,适用于低电压逻辑电平栅极驱动操作
  • 低外形(< 0.8 mm),易于在薄型环境中安装
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准

应用领域

  • 高端负载开关
  • DC - DC 转换器(降压和升压电路)
  • 针对便携式设备中的电池和负载管理应用进行优化
  • 锂离子电池线性模式充电

数据手册PDF